台积电 nm工艺有望 零 年风险试产 次年大规模投产

nm工艺在 零 年开始风险试产,钢铁现货快讯网获知,也就意味着台积电需要开始谋划利用 nm工艺 芯片 工厂。对于工厂,外媒在上周 报道中曾提到,台积电负责营运组织 资深副总经理秦永沛,透露他们计划在新竹建设 nm工艺 芯片 工厂,建设工厂所需 土地已经获得。台积电董事长刘德音目前也透露,他们可能会扩建位于台中 晶圆 厂,以增加 nm工艺 产能。

nm工艺投产之后,台积电下 步将投产 就将是 nm工艺,在去年 年报中,台积电首次披露他们在研发 nm工艺。

月 日消息,据国外媒体报道,今年 季度顺利量产 nm工艺 台积电,正在研发¤更先进 nm和 nm芯片制程工艺, nm工艺是计划在明年风险试产,钢铁现货快讯网报道称, 零 年下半年大规模投产。

台积电 nm工艺若如外媒报道 那样在 零 年风险试产、随后 年大规模投产,也就意味着他们仍将保持两年投产 代新工艺 节奏。台积电 nm工艺是在前年 月份大规模投产 , nm工艺在今年 季度投产,中间相隔约两年; nm之后 nm工艺,计划在明年风险试产、 零 年下半年大规模投产,虽然距 nm工艺大规模投产 时间间隔超过两年,但量产①时间大概率会提前,届时间隔预计也在两年左右。

在本周早些时候 报道中,外媒称◤台积电 nm工艺 研发已取得重大进展,研发进入了高级阶段,先于他们 计划。

在量产时间方面,外媒在报道中指出,台积电对 nm工艺在 零 年年底 风险试产良品率达到 零%非常乐观。外媒根据目前 研发进展推测,钢铁现货快讯网进行了报道,台积电 nm工艺将在 零 年风险试产, 零 年大规模投产。

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对于台积电 nm工艺,外媒此前曾报道称将会采用环绕栅极晶体管技术(GAA),不会继续采用鳍式场效应晶体管技术。

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