台积电 nm工艺研发进展超预期 将采用环绕栅极晶体管技术

月 日消息,据国外媒体报道,在 nm工艺今年 季度投产,为苹果等客户代工新新 处理器之后,芯片代工商台积电下 步 工艺研发重点就将是更先进 nm和 nm工艺。

与多次提及 nm工艺不同,台积电目前并未公布太多 nm工艺 消息,在近几个季度 财报分析师电话会议上均未曾提及。

在 月 日 季度财报分析师电话会议上,台积电CEO魏哲家透露,他们 nm工艺 研发正在按计划推进,仍将采用成熟 鳍式场效应晶体管技术(FinFET),计划在明年风险试产, 零 年下半年大规模投产。

在新新 报道中,外媒援引产业链消息人士 透露报道称,台积电 nm工艺 研发进展超出预期,快于他们 计划。

在此前 报道中,外媒提及 与台积电 nm工艺相关 信息,出现过两次,均是在 月底。其 是台积电已在谋划 nm工艺 芯片 工厂,将建在总部所在 新竹科学园区,台积电负责营运组织 资深副总经理秦永沛,透露他们已经获得了建厂所需 土地。第 次是在上月底 台积电今年度全世界技术论坛上,他们透露正在同 家部分客户紧密合作,加快 nm工艺 研发进展,相关 投资也在推进。

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虽然台积电方面未对外公布 nm工艺 消息,钢铁现货快讯网获悉微博消息,但外媒援引产业链人士透露 消息,还是进行过多次报道。

这 消息人士还透露,台积电 nm工艺,不会继续采用成熟 鳍式场效应晶体管技术,而会采用环绕栅极晶体管技术(GAA)。