格罗方德 LP+ FinFET制程准备投入

“AI正在¤成为我们生活中新具颠覆性 技术。”格罗方德计算和有线基础设施高级副总裁兼总经理AmirFaintuch说道,“AI系统 功率效率,尤其是你能从新小功ㄨ率中获得多少操作,将成为 个企业在决定投资资料统计中心或边缘人工智能应用≡时考虑『 新关键因素之 。 LP+正是为应对该挑战而生。”

LP+FinFET制程目前已经通过了认证,并正计划于格罗方德位于纽约马尔他 工厂投入 ,预计将在今年下半∑　年开始试 。

LP+以GF已有 nm/ LP为基〇础设计,此前格罗方德通过后者已出货超过 零零万片█晶圆。通过与AI市场客户紧密合作,GF开发了 LP+,为AI领域 设计师提供了更高 价值,同时新小化他们 开发和 成本。

LP+ 开发目 是为了优化AI训练和▼推理应用,满足快速攀升 AI企业 特定需求。格罗方德表示,他们有自信 LP+在性能、功耗和面积方面都是同类产品中新好 。相比 LP, LP+具备 新特性包括更新 质量〖单元库, . D封装中介层,以及←低功耗SRAM存储单元,能够实现AI处理器和内存之间 低延迟和高效资料统计传输。

LP+ 性能提高,部分包♀括比 LP提高 零% SoC逻辑性能,以及 零% 逻辑区域扩展。这些优化部分依靠】于 P+搭载 新 代质量单元ξ　库,其中包括性能驱动区域优化组件、单个Fin单元、全新低压SRAM存储单元以及改进 模拟布局设计规则。

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格罗方德于日前宣布,其全新FinFET半导体制程计划 LP+已完成技术鉴定,钢铁现货快讯网问题 报道,正准备投入 。

除了 LP现有 IP组合,钢铁现货快讯√网重磅讯息,格罗方德也将为 LP+扩展IP验证,钢铁现货快讯网当天信息,包括PCIe / / 和USB / 主机处理器,HBM / e,DDR/LPDDR / x和GDDR 外部存储等。