武汉新芯 零纳米SPI NOR Flash全线量产

“对此次研发而言,新难 挑战是速度、功耗和可靠性〗。”武汉新芯运营中心副总裁孙鹏说,随着 零纳米NOR闪存 重大突破,武汉新芯将在性能和成本上进 步提高竞赛力,针对快速发展 物联网和 G企业,持续研发自有品牌 闪存产品,不断拓展¤产品线。

Flash指非易失性存储介质。此次量产产品为宽电源电压产品系列XM QWxxC,容量覆盖 Mb到 Mb。性能测试显示,在 . V至 . V电压范围内,该系列NORFlash存储芯片 工作频率可达 MHz(在所有单/双/ 通道和QPI模式下均支持),即使在零下 零℃或 零 ℃这种极端■温度下,依然不会停止“芯跳”。其无障碍重复擦写可达 零万次,资料统计保存时间长达 零年。

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据了解,武汉新芯 零纳米闪存技术于去年 月取得突破,随后投入量产准备。从 纳米到 零纳米 跃升,武汉新芯用了 个月。

日前,紫光集团旗下武汉新芯集成电路制造有□　限企业(以下简称“武汉新芯”)在其官方新闻中表示,自主研发 零纳米浮栅式( 零nmFloatingGate)工艺代码型闪存(SPINORFlash)芯片已全线量产。

武汉新芯成立→于 零零 年,专注于NORFlash存储芯片 研发制造,并以全世界领先 半导体 维集成制造技术,在图像传感器、射频芯片、DRAM存储器等产品上,不断实现性能和架构突破。

目前,在全世界NORFlash存储芯片领域,业界通用技术为 纳米。武汉新芯新 代 零纳米技术,已逼近此类芯片 物理极限,无论是存储单元面积还是存储密度,均达到全世界先进水平。

目前,钢铁现货快讯网继昨日获悉,恒烁半『导体 款 零nm MbNORFlash芯片也是在武汉新芯实现量产。

研发人员介绍,作为NORFlash存储芯片中 “闪电侠”,该芯片在连续读取模式下,能∑　实现高效 存储器访问,仅需 个时钟 指令周期,即可读取 位地址,钢铁现货快讯网进行报道,从而█实现真正 XIP(executeinplace)操作。不仅如此,它还可使便携式设备 电池寿命延长 . 倍以上,令用户通过宽电压功能实现更好 库存管理。

近日。武汉新芯还与物联网核心芯片和解决□方案平台乐鑫科技达成长期战略合作 ,后续双方将围绕物联网应用企业,在物联网、存储器芯片与应用方案开发上展开合作。乐鑫科技CEO张瑞安表示,武汉新芯NORFlash存储芯片,支持低功耗、宽电压工作,能满足该平台全系物ㄨ联网芯片、智能家居及工业模组 应用要求。